1、半导体纳米器件的理论模拟与性能优化指导老师：顾有松专 专业 业 ：材料物理答 辩 人 ：丁明帅答辩时间： 2013.6.7答辩内容 研究背景与课题意义 研究方法 MOSFET的电输运性质 掺杂对器件的影响 通道宽度与应变对器件的影响 结论 研究背景与课题意义 研究方法 MOSFET的电输运性质 掺杂对器件的影响 通道宽度与应变对器件的影响 结论答辩内容研究背景与课题意义研究背景课题意义ZnO材料是一种性能优异的宽禁带 （ 3.37eV)半导体材料 ，在制作纳米器件方面具有巨大的发展潜能，优化器件性能需要掌握电输 运性质。实验上对 ZnO纳米器件的电输运性质研究较多。但对于特定器件电输运的内部结
2、构的理论上研究较少，希望能为实验及后续研究提供指导 。 研究背景与课题意义 研究方法 MOSFET的电输运性质 掺杂对器件的影响 通道宽度与应变对器件的影响 结论答辩内容研究方法Nextnano3计算软件计算方法Nextnano3主要通过 求解 薛定谔方程 、泊松方程、连续电流方程、应变 方程 来获得材料的电学性质。答辩内容 研究背景与课题意义 研究方法 MOSFET的电输运性质 掺杂对器件的影响 通道宽度与应变对器件的影响 结论MOSFET的电输运性质MOSFET模型 结构模型规格：14136nmn型掺杂，Al2O3基底MOSFET的电输运性质栅极偏压为 0VI-V曲线栅极偏压为 0V时带边能量分布VDS=0VVDS=0.3V电势 分布 VDS=0.3V栅极偏压为 0VMOSFET的电输运性质电导率分布VGS=0.3V， VDS=0V电子密度分布VGS=0.3V， VDS=0V
