半导体物理习题习题三姓名 学号 习题请直接做在此页面上，完成后发往luming.sjtu42 。1，室温下，本征锗的电阻率为47 cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为441022cm3试求该掺杂锗材料的电阻率。设n = 3600cm2Vs，p = 1700 cm2Vs，且不随掺杂而变化。解： 施主杂质原子的浓度电子浓度空穴浓度2， (1) 试证明室温下，某半导体的电子浓度 时，其电导率为最小值（式中、ni 是本征载流子浓度n 和p 分别为空穴和电子的迁移率），并求在上面条件下空穴的浓度；(2) 当ni = 251012cm3，p = 1900 cm2Vs，n =3800 cm2Vs时，试求锗的本征电导率和最小电导率；(3) 试问当n0和p0 (除了n0 = p0 = ni以外)为何值时，该晶体的电导率等于本征电导率。(1) 证明：对公式作如下演
