晶硅电池与CdTe薄膜电池对比 晶硅电池 技术陈旧1954年 高能耗高碳排放量 电池材料厚度100-300 m 禁带宽度112 ev电压低 成品率低40 生产过程几小时左右 透光性差 市场份额递减2015欧盟停用 成本16美元W CdTe薄膜电池 2003年 低能耗湿法冶金 08-3 m 152 ev 有高压潜能 90 30-45 mins 透光性好BIPV 市场份额激增中国2GW 成本087美元W 沉积PIN层的工作气体 P层硅烷SiH4硼烷B2H6甲烷CH4高纯氩Ar高纯氢H2 I层硅烷SiH4 高纯氢H2 N层硅烷SiH4磷烷PH3高纯氩Ar高纯氢H2 最具广泛应用潜力的三种薄膜材料 非晶Si CIGSCuInGaSe 碲化镉CdTe 多源共蒸发法PVD 镉 是人体非必需元素在自然界中常以化合物状态存在一般含量很低正常环境状态下不会影响人体健康镉和锌是同族元素在自然界中镉常与锌铅共生当环境受到镉污染后镉可在生物体内富集通过食物链进入人体引起慢性中毒镉被人体吸收后在体内形成镉硫蛋白选择性地蓄积肝肾中其中肾脏可吸收进入体内近13的镉是镉中毒的靶器官 其它脏器如脾胰甲状
