堆叠系统中的无定形硅和氧化硅薄膜硅太阳能电池背面钝化堆栈的氢化非晶硅（a-Si）和化学气相沉积硅氧化物（SiOx）已被用作表面钝化层的硅晶片表面。很好的表面钝化能够达成，导致表面复合速度低于10cm/s 1cm 的p型硅晶片。通过使用钝化层系统在太阳能电池的背面和应用激光发射接触（LFC）的过程中，逐点局部背接触已形成和能量转换效率近年21.7%已获得p型区熔基板（0.5cm）。模拟表明，有效后和在180 cm/s的结合金属和钝化区，120 30cm/s计算的钝化区。后反射率是比较热生长二氧化硅（SiO2）。非晶硅后钝化显得更加稳定在不同偏压下的光强度与热生长的SiO2。关键词：非晶硅；后表面钝化；激光发射接触；PERC；硅太阳能电池；高效硅太阳电池 发表于2008年1月18日；修订2008年3月26日引言需要一个成本降低硅太阳能电池技术导致使用薄晶。薄晶更重要的是有效表面钝化将尤其在太阳能电池的背面。戈斯蒂内利等人表明，硅太阳能电池在非常薄的基板（下降到105m）可以达到更高的效率。克莱提出了能量转换效率20%以上基板厚度小于50m。两个观点使用
