径迹测量的半导体探测器初期的硅微条探测器无论在设计和技术工艺水平方面都比较低，位置分辨率也不高，随着高能物理实验的发展要求，探测器技术及半导体各种技术工业和光刻技术的发展，硅微条及一些相关的半导体探测器都得到了快速得发展和应用。如双边读出的硅微条探测器，像素探测器，硅漂移室，CCD，硅片探测器等，都有了新的发展，在不同的实验中，都有一些应用。另外还由于高度集成化低噪音的前端电子学的研制成功，也推动了这些探测器的发展提高。硅微条探测器是目前使用最广泛的半导体探测器，具有非常好的位置分辨率，但对辐射损伤比较灵敏。电荷耦合器的读出时间很长，但还是被广泛应用于需要高的空间分辨和中等的时间分辨的场合。日本的高能物理实验室KEK计划把它用作未来实验的顶点探测器，位置分辨率设计为2m.像素探测器具有非常好的位置分辨率，但需要大量的基础电子元器件来组成，它的先进性在于它只用单边的技术工艺也提供了两维的高位置分辨率。这种探测器已经被应用到LHC高能物理实验中。硅漂移室的允许计数率比一般的半导体探测器高几十倍，时间分辨率好，噪声小，且节省电子学经费。1 硅微条探测器随着半导体
