MOS 器件物理( 续)转移特性曲线 在一个固定的VDS下的MOS 管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系称为MOS 管的转移特性。转移特性的另一种表示方式增强型NMOS转移特性 耗尽型NMOS转移特性转移特性曲线 在实际应用中，生产厂商经常为设计者提供的参数中，经常给出的是在零电流下的开启电压 注意 ，Vth0为无衬偏时的开启电压，而 是在与VGS特性曲线中与VGS轴的交点电压，实际上为零电流的栅电压 从物理意义上而言， 为沟道刚反型时的栅电压，仅与沟道浓度、氧化层电荷等有关；而Vth0与人为定义开启后的IDS有关。 转移特性曲线 从转移特性曲线可以得到导电因子KN（或KP），根据饱和萨氏方程可知： 即有： 所以KN即为转移特性曲线的斜率。MOS 管的直流导通电阻 定义：MOS 管的直流导通电阻是指漏源电压与漏源电流之比。 饱和区： 线性区： 深三极管区：MOS 管的最高工作频率 定义：当栅源间输入交流信号时，由源极增加（减小）流入的电子流，一部分通过沟道对电容充（放）电，一部分经过沟道流向漏极，形成漏源电流的增量，当变化的电流全部用于对沟道电容充放电时，MOS 管就失去了放大能力，
