CCZU半导体器件原理Principles of Semiconductor Devices第一章：pn结二极管刘宪云统计物理能带理论双极晶体管pn结二极管肖特基二极管 欧姆接触JFET、MESFET、MOSFET、HEMTp p 从物理到器件从物理到器件引言u同质结与异质结u同型结与异型结半导体器件接触的物理机制：半导体器件接触的物理机制：-平衡时的能带图平衡时的能带图1、金属-半导体界面第一个被研究的半导体器件。可作为整流接触-肖特基势垒，或用作欧姆接触。也可以得到其他许多器件，如MESFET.具有整流特性，广泛用于电子电路的 整流、开关及其他工作中。若再加一 p型半导体，两个p-n 结构成 p-n-p双极晶体管。2、pn结半导体器件基础3、异质结界面4、金属-绝缘体-半导体结构u具有两种半导体各自的pn结都不能达到的优良光电特性u适于制作高速开关器件、太阳能电池及半导体激光器等。u若用氧化物代替绝缘体，可视为M-O-S界面。uULSL中最重要的MOSFET器件的基本结构。o 70年代以来，制备结的主要技术是硅平面工艺。硅平面工艺包括以下主要的工艺技术： 1950年美国人奥尔（R.
