半导体制造技术第四章课件.ppt

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第四章 硅和硅片制备学习目标:1.硅原材料怎样精炼成半导体级硅2.解释晶体结构和单晶硅的生长方法3.硅晶体的主要缺陷种类3.描述硅片制备的基本步骤4.对硅片供应商的7种质量标准5.外延对硅片的重要性。 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体,以及硅片和用于芯片制造级的抛光片的生产步骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的晶圆,最早使用的是1英寸,而现在300mm直径的晶圆已经投入生产线了。因为晶圆直径越大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难以保证,这正是对晶圆生产的一个挑战。物质分为晶体(单晶,多晶)和非晶体非晶:原子排列无序晶胞:长程有序的原子模式最基本的实体就是晶胞,晶胞是三维结构中最简单的由原子组成的重复单元。单晶:晶胞在三维方向上整齐地重复排列。多晶体:晶胞排列不规律2.1 硅的晶体结构非晶原子排列三维结构的晶胞晶胞多晶和单晶结构多晶结构 单晶结构晶体结构的原子排列Figure 4.2 9晶面(用密勒指数表示)硅晶圆中最常使用的晶面是和(100)晶面的晶圆用来制造MOS器件和电路(111)晶面的晶圆用来制造双极性器件和电路砷化镓技术使用(

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