1、第 7讲 外存系统故障维修7.1 闪存系统故障维修 【 重点 】7.2 硬盘系统故障维修 【 重点 】7.3 光盘系统故障维修7.1 闪存系统故障维修7.1.1 闪存的基本类型 闪存 从 EEPROM技术发展而来。 优点：快速存储，永久存储，可利用现有的半导体工艺生产。 缺点：读写速度较 DRAM慢，而且擦写次数有极限。 读写特性： 闪存以区块为单位进行数据擦除和写入 ，区块大小为 8KB128KB。7.1 闪存系统故障维修7.1.1 闪存的基本类型 NOR（异或）型闪存 ：由 Intel和 AMD公司主导，用于程序储存和运行。 NOR闪存可 随机读 ，但 写操作按 “块 ”进行 。 NOR闪
2、存适合于频繁随机读操作，并直接在闪存内运行。如 BIOS芯片，手机存储芯片，交换机、路由器中的存储器等。 手机是 NOR闪存应用的大户 。7.1 闪存系统故障维修7.1.1 闪存的基本类型 NAND（与非 ）型闪存 ：大部分专利权掌握在东芝、三星、 SanDisk等公司。 NAND闪存采用 地址线和数据线复用 技术。 NAND闪存小数据块操作速度慢，而大数据块速度快。 NAND闪存主要用来存储资料，如 U盘、数码存储卡、固态硬盘等。7.1 闪存系统故障维修7.1.2 闪存存储单元工作原理 闪存采用单晶体管设计，无需存储电容。 闪存 SLC（单级储存单元）结构：在 1个存储单元存储 1位数据。
3、闪存 MLC（多级储存单元） 结构：在 1个存储单元中存储 2位数据。7.1 闪存系统故障维修7.1.2 闪存存储单元工作原理 MLC通过不同级别的内部电压，在 1个存储单元中记录 2组位信息（ 00、 01、 11、 10）。 MLC的记录密度比 SLC提高了 1倍。 但是， MLC电压变化频繁，使用寿命远低于SLC， MLC只能承受约 1万次的擦写。 MLC需要更长的读写时间， SLC比 MLC要快3倍以上。7.1 闪存系统故障维修7.1.2 闪存存储单元工作原理 NAND闪存和 NOR闪存都采用 MOS晶体管作为基本存储单元，不同的是构成存储阵列时，采用了不同的技术方式。 NAND闪存采
4、用 “与非 ”方式构成存储阵列 ； NOR闪存采用 “异或 ”方式构成储存阵列。7.1 闪存系统故障维修7.1.2 闪存存储单元工作原理 闪存通过在浮空栅极上放置电子和清除电子来表示数据，浮空栅极中有电子时为 “0”，无电子时为 “1”。7.1 闪存系统故障维修7.1.3 NOR闪存结构与性能 NOR闪存电路特点： NOR闪存有独立的数据总线和地址总线，能快速 随机读取 数据。 NOR闪存写入数据前，必须先将目标块内所有位都写为 0（擦除操作）。 NOR闪存可以单字节写入，但不能单字节擦除 。 NOR闪存传输效率很高，适合存储程序代码，对大型数据文件应用显得力不从心。7.1 闪存系统故障维修7.1.4 NAND闪存结构与性能 NAND闪存接口位宽为 8位或 16位。 如韩国现代 HY27UK08BGFM闪存芯片：总容量为 4GB，页面大小为（ 2KB+64B）， 8个 I/O接口每次可以传输（ 2KB+64B）8=16.5KB数据。 NAND闪存采用 地址 /数据总线复用 技术，大容量闪存一般采用 32位地址总线 。
