双频容性耦合等离子体物理特性的研究* 王 友 年 * 国家自然科学基金重点项目资助课题内 容一、等离子体刻蚀技术的发展趋势及存在的问题二、几种有代表性的等离子体源三、描述 DF-CCP物理过程的解析模型四、描述 DF-CCP物理过程的混合模型五、直流偏压效应六、有关实验工作进展一、等离子体刻蚀技术的发展趋势及问题 低温等离子体刻蚀技术在微纳制造工艺中得到广泛地应用，如超大规模集成电路、微机械系统、微光学系统的制备。 1）半导体芯片加工2）微电机系统（MEMS)加工3）平板显示器的加工4）衍射光栅的制备微齿轮微结构集成电路发展趋势: 加工晶圆的面积更大 特征尺寸越来越小 集成度越来越高对等离子体源的要求:高的刻蚀率高度的均匀性高度的各向异性高度的选择性较低的介质损伤等离子体刻蚀工艺的趋势 均匀性 刻蚀的均匀性包含两层意思： 1）宏观的不均匀性：在晶片的径向上造成的刻蚀率和刻蚀剖 面的不均匀性。 2）微观不均匀性：在每个微槽的底部和侧面造成的刻蚀不均匀性。等离子体密度0 R为了适应纳电子器件的制备工艺，必须要： 1）提出大面积、高密度、均匀等离子体的新方法； 2）提出优化刻蚀工艺的新方法。
