第三章MOS 集成电路器件基础 n 3.1MOS 场效应管(MOSFET) 的结构及符号n 3.2MOS 管的电流电压特性n 3.3MOS 电容n 3.4MOS 管的Spice 模型参数n 3.5MOS 管小信号等效电路拭淬搞任拧酚啤卧豆为瘫滦隙蛋既重示庸抒寄柑量久瑶制绊族瓜淤正扑冬大规模集成电路第3章MOS集成电路器件基础大规模集成电路第3章MOS集成电路器件基础3.1MOS 场效应管(MOSFET) 的结构及符号 3.1.1NMOS 管的简化结构NMOS 管的简化结构如图器件制作在P 型衬底上两 个 重 掺 杂N 区 形 成 源 区 和 漏区，重 掺 杂 多 晶 硅 区(Poly) 作 为 栅极一 层 薄SiO2 绝 缘 层 作 为 栅 极 与衬底的隔离NMOS 管 的 有 效 作 用 就 发 生 在栅 氧 下 的 衬 底 表 面 导 电沟道(Channel) 上。宽长比(W/L) 和氧化层厚度tox窝猎秘警异脓技嚣疏顷界焰嘛摆需赴咙墙读混纬钳幌萤逝俏瓤散蒜尺晴将大规模集成电路第3章MOS集成电路器件基础大规模集成电路第3章MOS集成电路器件基础 衬底的连接 (a) PMOS管；
