微互连技术之引线键合技术裸芯片组 装技术 载带自动键合法 引线连接法 梁式引线法 倒装芯片法倒装 焊微互 联技 术 C4 法 表层回流互联法压 接倒装互 联技 术 导电性沾结剂连接法 各向异性导电膜链接法 利用表面电镀Au 的树脂微球进行连接的方式微互联技术引线键合技术(WB) 引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。 提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接点形状可以相同或不同。引线键合技术作用机理引线键合技术分类 常用引线键合方式有三种： 热压键合 超声键合 热超声波（金丝球）键热压键合作用机理利用加压和加热，使金属丝与焊区接触面原子间达到原子引力范围，实现键合。一端是球形，一端是楔形 ，常用于Au丝键合。压头下降，焊球被锁定在端部中央压头上升压头高速运动到第二键合点，形成弧形在压力、温度的作用下形成连接14 32第一键合点的形状在压力、温度作用下形成
