第三章 薄膜制备的物理方法 第三章 薄膜制备的物理方法物理气相沉积过程可概括为三个阶段：（1）从源材料中发射出粒子；（2）粒子输运到基片；（3）粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜。第一节 真空蒸发第二节 溅射第三节 离子束和离子助第四节 外延生长第三章 薄膜制备的物理方法 在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发，使其沉积在被涂覆的基片上的方法称为真空蒸发。第一节 真空蒸发 蒸发法与用水壶煮开水时冒出的水蒸气使玻璃窗蒙上一层模糊的水汽相似，所以就需要有相当于水壶的坩埚、加热坩埚的热源和附着蒸气的基片。 优点： 具有简单便利、操作容易、成膜速度快、效率高等特点，是薄膜制备中最为广泛使用的技术。 缺点： 形成的薄膜与基片结合较差，工艺重复性不好。第一节 真空蒸发一、真空蒸发沉积的基本条件二、真空蒸发沉积的物理原理三、真空蒸发技术第一节 真空蒸发第一节 真空蒸发一、真空蒸发沉积的基本条件v真空环境，以便于气相镀料向基片输运；v加热，使镀料蒸发；v采用温度较低的基片，以便于气体镀料凝结成膜。第一节 真空蒸发真空蒸发沉积过程的三个步骤：（1）蒸发源材料由凝聚相转变成气相；（2）在蒸发源与基片之间蒸发
