霍尔传感器1 霍尔传感器工作原理2 霍尔元件的结构和基本电路3 霍尔元件的主要特性参数4 霍尔元件误差及补偿5 霍尔式传感器的应用591 霍尔传感器工作原理半半导导体体薄薄片片置置于于磁磁场场中中，当当它它的的电电流流方方向向与与磁磁场场方方向向不不一一致致时时，半半导导体体薄薄片片上上平平行行于于电电流流和和磁磁场场方方向向的两个面之间产生电动势，这种现象称的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应霍尔效应。产生的电动势称产生的电动势称霍尔电势霍尔电势, 半导体薄片称半导体薄片称霍尔元件霍尔元件59霍尔效应原理59载流子受洛仑兹力 霍尔电场强度平衡状态 载流子运动平均速度 因为霍尔电势n n- - 单 单 位体 位体 积 积 内 内 载 载 流子数 流子数59霍尔常数 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度：金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小，所以金属材料不宜制作霍尔元件。霍尔电势与导体厚度d成反比：为了提高霍尔电势值， 霍尔元件制成薄片形状。 霍尔元件灵敏度（灵敏系数） 半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁移率高，因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔
