二氧化硅膜的用途：1. 作为掺杂的掩蔽膜；2.MIS 栅介质膜；3. 介质隔离；4. 保护层或缓冲层。SiO2Si4.1二氧化硅膜的结构和性质1. 结 构 特 点 ： 长 程 无 序 ， 短 程 有序。2. 组成单元：硅氧四面体。3. 二 氧 化 硅 中 也 可 能 存 在 各 种 杂质 ， 如 氢 氧 根 （ 替 代 氧 ） ； 硼 、磷 （ 替 代 硅 ） ； 钾 、 钠 、 钙 、钡 、 铅 、 铝 （ 填 隙 杂 质 ） ， 从而 对 其 物 理 性 质 产 生 重 要 的 影响。SiO1. 硅 暴 露 在 空 气 中 ， 则 在 室 温 下 即 可 产 生 二氧化硅层，厚度约为250埃。2. 如 果 需 要 得 到 更 厚 的 氧 化 层 ， 必 须 在 氧 气气氛中加热。3. 硅 的 氧 化 反 应 是 发 生 在Si/SiO2界 面 ， 这 是因 为 ：Si 在SiO2中 的 扩 散 系 数 比O 的 扩 散系数小几个数量级。4.2二氧化硅膜的制备方法 制 备 二 氧 化 硅 膜 的 方 法 有 ： 热 生 长 氧 化 法 、化 学 气 相 沉 积 等 。 但 目 前 主
