不同状态下等离子体恢复放电报告人 许文豫指导老师 胡建生HT-7 ASIPP 装置对壁处理的要求杂质清除（氧，碳，水，金属等） 目前的托卡马克需要通过器壁处理限制等离子体中的杂质，获得高品质的等离子体。杂质抑制是托卡马克运行的重要课题。粒子再循环控制（氢同位素） 以碳材料为第一壁装置，碳的腐蚀及其再沉积导致的氢同位素的滞留将带来严重的粒子再循环，影响等离子体的密度控制，影响装置的经济有效的运行，并且在未来装置中氚的滞留也会带来严重的问题。 壁处理主要方法 清洗技术：烘烤、GDC放电清洗、RF放电清洗、泰勒放电清洗 杂质抑制技术：硼化、碳化等一、介绍HT-7 ASIPPHT-7 装置等离子体恢复放电 装置初期恢复实验、硼化壁处理后 、在氧化壁处理后以及装置泄漏后都伴随着长时间破裂等离子体放电阶段； 在不同壁状态下，杂质和粒子再循环分别是导致破裂等离子体放电主要原因； 这些破裂等离子体破裂放电达到几十到几百次，累计占用时间为几个到十几小时，严重影响运行效率； 但这些破裂等离子体放电能够有效的清除器壁上所吸附的杂质或者氢，促进等离子体的恢复。
