上页下页返回模拟电子技术基础NP+P+形成SiO2保护层以N型半导体作衬底上下各引出一个电极 左右各引出一个电极两边个引出一个电极 两边个引出一个电极两边扩散两个高浓度的P型区上页下页返回模拟电子技术基础漏极d（drain)源极s（source)栅极g（gate)NP+P+N型导电沟道符号称为N沟道JFET上页下页返回模拟电子技术基础符号P沟道JFET结构示意图PN+N+P型导电沟道s gd上页下页返回模拟电子技术基础N沟道结型场效应管P沟道结型场效应管结型场效应管分3.1.2 结型场效应管的工作原理 电路图GDS上页下页返回模拟电子技术基础1uDS=0时，uGS对沟道的控制作用 a当uGS=0时NP+P+N型导电沟道sd=0沟道无变化g上页下页返回模拟电子技术基础bUGS(off)uGS0NP+P+N型导电沟道sd=0P+ + (a) PN结加宽(b) PN结主要向N区扩展(c) 导电沟道变窄(c) 导电沟道电阻增大g上页下页返回模拟电子技术基础NP+P+N型导电沟道sd=0P+P+(a) PN结合拢(b) 导电沟道夹断c 0 uGS=UGS(off)UGS(off)栅源截止电压或夹
