仪器名称:表面光电压谱仪数量:1套,国产用途:半导体材料、硅太阳能电池的绝对光谱响应,外量子效率,光谱透过率,短路电流密度,光电压、光电流谱,相位谱等。技术指标(标注有*的部分为重要技术条款,不能有负偏离):*1、光电压谱测量:最小电压10nV;功能材料的光电性质,可开展光催化等方面的机理研究;*2、光电流谱测量:最小电流10 pA;研究功能材料光电流性质,可应用于太阳能电池、光解水制氢等方面的研究;3、光伏相位谱分析:相检测范围:-180至+180;可用于研究光生电荷的性质,如:光生电荷扩散方向;解析光生电荷属性等;*4、表面光电压、光电流、相位谱分析的光谱波长范围:200-1600nm,可以全光谱连续扫描,光谱分辨率0.1nm,波长准确度0.1nm;5、可以实现任意定波长下,不同强度光照下的表面光电压、光电流、相位谱分析,实现光谱分析的多元化;6、光路设计一体化、所有光路均在暗室中或封闭光路中进行,无外界杂光干扰;7、光源配置:氙灯光源(200-1100nm);卤素灯光源(400-1600nm);氘灯光源(190-400nm);