2X8低噪声InGaAs/InPAPD读出电路设计0引言广告插播信息维库最新热卖芯片：74LS374M54585PATMEGA168-20AUHCPL-4701CD4015BF3AMC68HC908JL3ECDWCXA2045QHIP2100IBTIRFP150NMBR3045CT在红外通信的13101550nm波段，高灵敏度探测材料主要有GeAPD和InGaAs/InPAPD，两者相比较，InGaAs/InPAPD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪声。In0.53Ga0.47As/InPAPD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP能隙渐变层、InP电荷层与InP顶层的结构。APD探测器的最大缺点是暗电流相对于信号增益较大，所以设计APD读出电路的关键是放大输出弱电流信号，限制噪声信号，提高信噪比。选择CTIA作为读出单元，CTIA是采用运算放大器作为积分器的运放积分模式，比较其他的读出电路，优点是噪声低、线性好、动态范围大。1 工作时序和读出电路结构作为大阵列面阵的基础，首先研制了一个2X8读出电路，图
