《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程试题2016.docx

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资源描述

一、填空题(30分=1分*30)10题/章晶圆制备1用来做芯片的高纯硅被称为(半导体级硅),英文简称(GSG),有时也被称为(电子级硅)。2单晶硅生长常用(CZ法)和(区熔法)两种生长方式,生长后的单晶硅被称为(硅锭)。3晶圆的英文是(wafer),其常用的材料是(硅)和(锗)。4晶圆制备的九个工艺步骤分别是(单晶生长)、整型、(切片)、磨片倒角、刻蚀、(抛光)、清洗、检查和包装。5从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是(100)、(110)和(111)。6CZ直拉法生长单晶硅是把(融化了的半导体级硅液体)变为(有正确晶向的)并且(被掺杂成p型或n型)的固体硅锭。7CZ直拉法的目的是(实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构,得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中)。影响CZ直拉法的两个主要参数是(拉伸速率)和(晶体旋转速率)。8晶圆制备中的整型处理包括(去掉两端)、(径向研磨)和(硅片定位边和定位槽)。9制备半导体级硅的过程:1(制备工业硅);2(生长硅单晶);3(提纯)。氧化10 二氧化硅按结构可分为

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