优化背接触式PV电池/模块设计的新方法摘要:本文介绍了一种用于优化背接触C-Si太阳能电池和模块设计的新方法，该方法业已展现了性能上的优势，而且还将能够更加容易地针对未来的要求，更大和更薄的电池、更容易地实现生产工具产能的扩大等进行调整。本文介绍了一种用于优化背接触c-Si太阳能电池和模块设计的新方法，该方法业已展现了性能上的优势，而且还将能够更加容易地针对未来的要求，更大和更薄的电池、更容易地实现生产工具产能的扩大等进行调整。晶体硅（c-Si）太阳能电池和模块是光伏（PV）产业的基础，说它是推进PV产业发展的动力也未尝不可。从直觉上判断，也许晶体硅并不是预期的适合于光伏能量转换的理想材料。它具有一个间接带隙，这意味着它的光吸收能力相对较弱，因而需要采用厚（现今通常140um）基板来实现上佳的效率水平。由于此类基板的成本较高，因此促使人们大规模开展面向PV的薄膜半导体和其他材料系统的研发活动。然而，由于晶体硅也许是目前最为人所了解的PV工艺材料了，可以从电子行业借鉴大量的技术成果，从而导致c-Si作为一种PV材料的领先地位和独特优势。结果是：晶体生成法被业界所广泛接受
