复旦大学材料科学系沈杰磁控溅射、反应溅射与中磁控溅射、反应溅射与中频溅射频溅射原理与应用原理与应用.目录v 磁控溅射 基本原理与特点 磁控溅射类型v 反应溅射 化合物薄膜 反应溅射原理 反应溅射工艺参数v 中频溅射 直流反应溅射的缺陷 中频溅射原理 中频溅射工艺参数.目录v 磁控溅射 基本原理与特点 磁控溅射类型v 反应溅射 化合物薄膜 反应溅射原理 反应溅射工艺参数v 中频溅射 直流反应溅射的缺陷 中频溅射原理 中频溅射工艺参数.二极溅射缺点v 成膜速率低v 基片温度高.二极溅射电子作用v 碰撞放电空间的气体粒子，产生维持和增强放电所需的电离( 有利但较小)v 到达阳极，撞击基片使之温度升高( 不利但较大).磁控溅射特点v 高速 v 低温.磁控溅射特点v 高速如Al 的成膜速率可达1m/min ，接近电子束蒸发，比二极溅射高一个数量级v 低温.磁控溅射特点v 高速如Al 的成膜速率可达1m/min ，接近电子束蒸发，比二极溅射高一个数量级v 低温同样条件下，二极溅射基片温升可达350450 ，磁控溅射仅250 .磁控模式利用垂直于靶面的电场与平行于靶面的磁场形成二次电子的捕集阱，电子
