第二章 集成电路的制造工艺 n n 第一节双极型集成电路的工艺流程 n n 第二节 MOS集成电路的工艺流程 n n 第三节外延工艺 n n 第四节氧化工艺 n n 第五节 化学汽相淀积(CVD)方法 n n 第六节 掺杂技术 n n 第七节光刻工艺 n n 第八节 刻蚀技术 第二章 集成电路的制造工艺 n n 第九节 淀积工艺 n n 第十节 表面钝化技术 n n 第十一节 隔离技术 n n 第十二节微电子技术的加工工艺环境 n n 第十三节 衬底材料 第一节 双极型集成电路的工艺流程 PN结隔离方法制造双极型集成电路的典型工艺流程。图1 第二节 MOS集成电路的工艺流程 N沟道铝栅NMOS晶体管的制造工艺流程 图1 CMOS集成电路工艺流程 CMOS反相器 图2CMOS主要工艺流程图 图3第三节 外延工艺 外延技术的采用主要有以下优点： 利用外延技术可以提高高频大功率晶体管的频率和功率特性。 在双极型集成电路的制造工艺中，采用外延技术容易实现隔离 。 利用外延技术可以根据需要方便地控制薄层单晶的电阻率、电导类型、厚度及杂质分布等参数。增大了工艺设计和器件制造的灵活性。 外延生长的方
