3 磁敏传感器 本节主要包括两部分： 磁敏二极管和磁敏三极管； 磁阻元件；1.一、磁敏二极管的结构与工作原理1.结构与原理 电路符号: 结构: 中间为I 区( 高纯度锗) P 区 N 区 r 区( 高复合区,可复合空穴和电子) _2.原理:设无外加磁场: 很少空穴和电子复合, 有稳定电流外加正磁场, 载流子都受到洛仑兹力 运动偏向r 区, 电流减小外加反向磁场, 仍受洛仑兹力, 在I 区载流子数量增多, 电流增大3.结论: 载流子的偏移与洛仑兹力有关, 洛仑兹力与电场和磁场的乘积成正比. 随着磁场大小方向的变化, 可以产生输出正负电压的变化.( 若磁敏二极管反向偏置, 仅有微弱电流.)4.2. 磁敏二极管的重要特性 伏安特性:a. 给定磁场下，锗磁敏二极管两端正向偏压和通过它的电流关系曲线b.开始电流变化平坦， 而后伏安特性曲线上升 快，动态电阻阻值小c. 具负阻现象（硅管）5.磁电特性6. 温度特性7.频率特性 硅管 响应t1us 频率1MHz 锗管 响应t1us 频率10KHz8. 磁灵敏度a. 恒流条件下, 电压相对磁灵敏度hu:U0磁感应强度为零时， 磁敏二极管两端电压UB磁感
