D漏极DrainG栅极GateS源极SourceB衬底Bulk 假设 假设V VG G=0V =0V时，栅氧化层中无电荷存在，则可通过对不 时，栅氧化层中无电荷存在，则可通过对不同 同V VG G下器件能带分布的情况分析器件的工作原理。 下器件能带分布的情况分析器件的工作原理。 图 图41 41NMOS NMOS结构示意图 结构示意图 压控四端有源器件 压控四端有源器件图 图42 42不同 不同V VG G下 下NMOSFET NMOSFET能带分布 能带分布 4.1.2MOS器件的阈值电压Vth 阈值电压 阈值电压 使 使MOS MOS器件沟道区进入强反型（ 器件沟道区进入强反型（ s s=2 =2 FB FB） ）所需的栅电压。 所需的栅电压。 （4-1 ） M-S M-S系统 系统Si-SiO Si-SiO2 2系统 系统Si Si衬底 衬底耗尽区电离电荷 耗尽区电离电荷式中 式中 MS MS 栅与衬底的接触电位差 栅与衬底的接触电位差V VBS BS 衬底与源之间的衬偏电压 衬底与源之间的衬偏电压 S S 衬底表面势 衬底表面势 FB FB 硅衬底的体费米势 硅衬底的体费米势Q
