电子信息材料发展趋势一、电子信息材料发展趋势 随着电子学向光电子学、光子学迈进，微电子材料在未来 10 15 年仍是最基本的信息材料，光电子材料、光子材料将成为发展最快和最有前途的信息材料。电子、光电子功能单晶将向着大尺寸、高均匀性、晶格高完整性以及元器件向薄膜化、多功能化、片式化、超高集成度和低能耗方向发展。 1 集成电路和半导体器件用材料由单片集成向系统集成发展 微电子技术发展的主要途径是通过不断缩小器件的特征尺寸，增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度，由单片集成向系统集成发展。 （ 1 ）Si 、GaAs 、InP 等半导体单晶材料向着大尺寸、高均质、晶格高完整性方向发展。8 英吋硅芯片是目前国际的主流产品，12 英吋芯片已开始上市，GaAs芯片4 英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向6 英吋生产线过渡；对单晶电阻率的均匀性、杂质含量、微缺陷、位错密度、芯片平整度、表面洁净度等都提出了更加苛刻的要求。 （ 2 ）在以Si 、GaAs 为代表的第一代、第二代半导体材料继续发展的同时，加速发展第三代半导体材料宽禁带半导体材料SiC 、GaN 、ZnSe 、金刚石材料和用SiGe/S
