第2 章 化学腐蚀法检测晶体缺陷2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂2.2 半导体单晶体的缺陷2.3 硅单晶位错的检测2.4 单晶硅中漩涡缺陷的检测2.5 化学工艺中的安全知识2.6 金相显微镜简介v 缺陷检测的意义：v 硅单晶中的各种缺陷对器件的性能有很大的影响，它会造成扩散结面不平整，使晶体管中出现管道，引起p-n 结的反向漏电流增大等。v 而各种缺陷的产生种类和数量的多少与晶体制备工艺和器件工艺有关。v v 检测方法v 晶体缺陷的实验观察方法有许多种，如透射电子显微镜、X 光貌相技术、红外显微镜及金相腐蚀显示（电化学腐蚀法）等方法。v 电化学腐蚀法的特点：v （1 ）设备简单，操作易掌握，较直观，是观察研究晶体缺陷的最常用的方法之一。v （2 ）可以揭示缺陷的类型、数量和分布情况，找出缺陷形成、增殖和晶体制备工艺及器件工艺的关系，为改进工艺，减少缺陷、提高器件合格率和改善器件性能提供线索。2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂v 一、电化学腐蚀机理v 1 、化学腐蚀：指金属或半导体材料与接触到的物质直接发生化学反应引起的腐蚀。这类腐蚀不普遍、只有在特殊条件下发生
