概述光照射下，物体受到具有一定能量的光子轰击，物体中的电子吸收光子能量而发生相应的电效应（如电阻率变化、发射电子或产生电动势）。光电效应photoelectriceffect。3.3光电性能外光电性-光电子发射受光照射，电子吸收光能而从表面发射出来。这一现象是赫兹于1887年发现的，1905年爱因斯坦用量子论予以解释。光的能量不是连续的，它只能以一定的分量起作用，这个分量称为量子（光子）。每个量子的能量等于hv。当频率为v的光照射固体时，爱因斯坦理论认为发射电子的能量E为光辐照半导体时，只要光子能量足够大，就能把价带中的电子激发到导带。导带中就增加自由电子，价带增加空穴，引起电导率的增加，增加的部分就称为光电导导带中的电子能在整个物体中自由运动，传导电流。价带中的电子虽然也在运动，但整个说来，不传导电流。内光电性-光电导电子或空穴（载流子）在传导过程中，可能碰到一些杂质或符号相反的载流子，复合而消失。载流子只有在它们产生之后和消失之前这段时间内能够传导电流。这段时间为载流子寿命。载流子寿命越大，光电导就越大。不同的半导体，甚至同一品种而其制备工艺不同的半导体，其中载流子寿命之值可以相差
