GaAs砷化镓1OUTLINEGaAs半导体材料的特性GaAs半导体材料的应用GaAs半导体材料的制备2 GaAs 材料的特性31.1GaAs 材料晶体特性晶体结构：GaAs材料的晶体结构属于闪锌矿型晶格结构，如图1.1所示。化学键：四面体键，键角为10928 ，主要为共价成分。由于镓、砷原子不同，吸引电子的能力不同，共价键倾向砷原子，具有负电性，导致Ga-As 键具有一定的离子特性，使得砷化镓材料具有独特的性质。图1.1.GaAs晶体结构41.1GaAs 材料的晶体特性极性：砷化镓具有闪锌矿型结构，在111 方向上，由一系列的族元素Ga 及族元素As 组成的双原子层（也是电偶极层）依次排列。在111 和 方向上是不等效的，从而具有极性，如图1.2 所示 。 存在Ga 面和As 面，在这两个面上形成两种不同的悬挂键，如图1.3 所示，As 面的未成键电子偶促使表面具有较高的化学活泼性，而Ga 面只有空轨道，化学性质比较稳定。这一特性有利于GaAs 材料进行定向腐蚀。图1.2.GaAs的极性 图1.3.GaAs的悬挂键51.2GaAs 材料的物理化学性质 表1.1.GaAs材料的物理性
