第六章 金属化与多层互连技术一、金属及金属性材料1.按功能划分MOSFET栅电极材料MOSFET器件的组成部分，对器件的性能起着重要的作用。互连材料将同一芯片的各个独立的元件连接成为具有一定功能的电路模块。接触材料直接与半导体材料接触的材料，以及提供与外部相连的接触点。2.常用金属材料：Al、Cu、Pt、Au、W、Mo等3.常压的金属性材料：掺杂的poly-Si、金属硅化物（PtSi、CoSi）、金属合金（AuCu、CuPt、TiB2 、ZrB2 、TiC、MoC、TiN）第六章 金属化与多层互连技术二、集成电路对金属化的基本要求1.对P、N或poly-Si形成低阻欧姆接触，即硅/金属接触电阻越小越好；2.提供低阻互连线，从而提高集成电路的速度；3.抗电迁移；4.良好的附着性；5.耐腐蚀；6.易于淀积和刻蚀；7.易键合；8.层与层之间绝缘要好，即相互不扩散，即要求有一个扩散阻挡层。第六章 金属化与多层互连技术三、欧姆接触1.定义：金属相对于半导体主体或串联电阻，当半导体接触处的接触电阻可以忽略不计时，称为欧姆接触。2.三个重要的参数：功函数:费米能级与真空能级的能量差. 金属功函数-
