电信学院 微电子学系 1 半导体制造技术微电子制造技术微电子制造技术第第 13 13 章章 光刻光刻:气相成底膜到软烘气相成底膜到软烘 电信学院 微电子学系 2 半导体制造技术学 习 目 标1.了解光刻的基本概念，包括工艺概述、关键尺寸划分、光谱、分辨率、工艺宽容度等；2.讨论正性胶和负性胶的区别；3.了解光刻的8个基本步骤；4.讨论光刻胶的物理特性；5.解释软烘的目的，并说明它在生产中如何完成； 电信学院 微电子学系 3 半导体制造技术光刻的基本概念 光刻就是利用光刻胶的感光性和耐蚀性，在各种薄膜上复印并刻蚀出与掩摸版完全对应的几何图形。以实现选择性掺杂和金属布线的目的。是一种非常精细的表面加工技术，在芯片生产过程中广泛应用。光刻精度和质量将直接影响器件的性能指标，同时也是影响制造成品率和可靠性的重要因素。光刻过程如图所示有薄膜的晶圆光刻制程正胶工艺开孔 -或负胶工艺留岛 - 电信学院 微电子学系 4 半导体制造技术 光刻是一种多步骤的图形转移过程，首先是在掩膜版上形成所需要的图形，之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶园表面的每一层。 图形转移通过两步完成。首先，图形被转移到光刻
