2.5.1 器件结与电流控制原理1 1 结型场效应晶体管的结构结型场效应晶体管的结构 用掺杂在用掺杂在nn型衬底上构成型衬底上构成p+p+区，从而形成一个区，从而形成一个pnpn结。结。上下两个上下两个PP型区联在一起型区联在一起,称为栅极称为栅极(G: grid)(G: grid)。 pnpn结下方有一条狭窄的结下方有一条狭窄的NN型区域称为沟道型区域称为沟道(channel)(channel)，其厚度为，其厚度为dd，长度为，长度为LL，宽度为，宽度为WW。沟道两端的欧姆接触分别称为漏极沟道两端的欧姆接触分别称为漏极(D, drain)(D, drain)和源和源极极(S, source)(S, source)。这种结构又称为。这种结构又称为NN沟沟JFETJFET。 2 JFET中沟道电流的特点在漏（在漏（DD）极和源（）极和源（SS）极之间加一个电压）极之间加一个电压VVDSDS,就就有电流有电流IISS流过沟道流过沟道.如果在栅（如果在栅（GG）和源（）和源（SS）极之间加一个反向）极之间加一个反向pn pn 结电压结电压VVGSGS，将使沟道区中的空间电荷区之间的，将使沟道
