刻刻 蚀蚀去胶去胶显影（第显影（第 1 次图形转移）次图形转移）刻蚀（第刻蚀（第刻蚀（第刻蚀（第 2 2 次图形转移）次图形转移）次图形转移）次图形转移）选择曝光选择曝光1ppt课件 对刻蚀的要求对刻蚀的要求对刻蚀的要求对刻蚀的要求 1、适当的刻蚀速率、适当的刻蚀速率 通常要求刻蚀速率为每分钟几十到几百纳米。通常要求刻蚀速率为每分钟几十到几百纳米。 2、刻蚀的均匀性好（片内、片间、批次间）、刻蚀的均匀性好（片内、片间、批次间） 刻蚀均匀性一般为刻蚀均匀性一般为 。大量硅片同时刻蚀时，刻蚀速。大量硅片同时刻蚀时，刻蚀速率会减小，这称为刻蚀的率会减小，这称为刻蚀的 负载效应负载效应负载效应负载效应。 3、选择比大、选择比大 选择比指对不同材料的刻蚀速率的比值。选择比指对不同材料的刻蚀速率的比值。 4、钻蚀小、钻蚀小 5、对硅片的损伤小、对硅片的损伤小 6、安全环保、安全环保 2ppt课件 钻蚀钻蚀钻蚀钻蚀（undercut）现象）现象 对刻蚀速率的各向异性的定量描述对刻蚀速率的各向异性的定量描述式中，式中，RL 和和 RV 分别代表横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率。分别代表横向刻蚀速率和纵向刻蚀
