下篇 场效应晶体管 场场效效应应晶晶体体管管是是区区别别于于结结型型晶晶体体管管的的另另一一大大类类晶晶体体管管。它它通通过过改改变变垂垂直直于于导导电电沟沟道道的的电电场场强强度度来来控控制制沟沟道道的的导导电电能能力力，从从而而调调制制通通过过沟沟道道的的电电流流。由由于于场场效效应应晶晶体体管管的的工工作作电电流流仅仅由由多多数数载载流流子子输输运运，故故又又称称之之为为“单单极型极型(场效应场效应)晶体管晶体管”1 根据其结构(主要指栅极结构)和制作工艺，FET可分为三类：(1)结型栅场效应晶体管(缩写JFET)，由于原理上近似，有时也将肖特基栅场效应晶体管-金属-半导体场效应晶体管(缩写MESFET)划归此类；(2)绝缘栅场效应晶体管(缩写IGFET)(3)薄膜场效应晶体管(缩写TFT)结型栅场效应晶体管，其栅极的控制作用是通过反向偏置pn结或肖特基结来实现的。其导电过程发生在半导体材料的体内，故JFET属于“体内场效应器件”。绝缘栅场效应晶体管和薄膜场效应晶体管的导电过程均发生在半导体表面薄层内。故从导电机构的角度看，它们均属于“表面场效应器件”。无论是“体内的”，还是“表
