第五章第五章 硅外延生长硅外延生长5.15.1外延生长的概述外延生长的概述定义定义:o外延外延(epitaxy)：是在单晶衬底上，按衬底：是在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层单晶层的技术。晶向生长一层单晶层的技术。o新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层外延层。o长了外延层的衬底称为长了外延层的衬底称为外延片外延片。分类分类o根据结构根据结构n 同质外延同质外延:外延层材料与衬底材料是同种材料，外延层材料与衬底材料是同种材料，Si Si,GaAs-GaAsn 异质外延异质外延:外延层材料与衬底材料不是是同种材料外延层材料与衬底材料不是是同种材料 蓝宝石上生长蓝宝石上生长Si，GaAsGaAlAso器件的应用器件的应用n正向外延正向外延：器件制作在外延层上：器件制作在外延层上n反向外延反向外延：器件制作在衬底上，外延层起支撑作用：器件制作在衬底上，外延层起支撑作用分类o根据生长的方法根据生长的方法n直接外延直接外延：用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长的材：用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长的材料原子获得足够的能量，直接迁移沉积在衬底表面上
