第八章第八章 光刻原理和技术光刻原理和技术Lithography 8.1 引 言 8.2 光刻工艺流程 8.3 光刻光学 8.4 光致抗蚀剂 8.5 先进的曝光技术8.1 8.1 引言引言l光刻是IC制造业中最为重要的一道工艺每三年尺寸减小0.7X.硅片制造工艺中,光刻占所有成本的35%?所在的地方代表了roadmap发展的最大的不确定性v设计功能模块,利用软件在功能模块之间布线。v用工具检查是否有违反设计规则(design rule)。v用电路级和系统级模拟工具预测电路性能 v从设计转移到掩膜版制备,用扫描电子束或激光束在光掩膜版上形成图形。v光学曝光,对硅片进行光刻。Mask DefinitionqMask definition start with a micro-system or micro-circuit or device conceptqThis is followed byLogic DesignCircuit DesignDevice DesignProcess Design&SimulationMask Layout and fabricationq Mask:f