第第9章章IC工艺薄膜物理淀工艺薄膜物理淀积技术积技术2022/12/19第9章IC工艺薄膜物理淀积技术Metal Layers in a Chip第9章IC工艺薄膜物理淀积技术Multilevel Metallization on a ULSI WaferPassivation layerBonding pad metalp+Silicon substrateViaILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3 M-4p-Epitaxial layerpp+ILD-6LI oxideSTIn-wellp-wellILD-1Poly gaten+pp+pp+n+n+LI metal第9章IC工艺薄膜物理淀积技术Copper Metallization第9章IC工艺薄膜物理淀积技术9.1.薄膜沉积的特点：pages 296微电子技术中的薄膜种类繁多，一般都不能（也不需要）形成与衬底晶格匹配的晶体。形成非晶或多晶薄膜即可（但要求其界面的应力足够小）。其生长的过程大致为：晶核形成、晶粒成长、晶粒聚结、逢道填补、成积膜成长。第9章IC工艺薄膜物理淀积技术第9章IC工艺薄膜物理淀积技
