12/17/2022半导体物理与器件半导体物理与器件西安电子科技大学西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY XIDIDIAN UNIVERSITY 张丽张丽第第1111章章 MOSFET MOSFET基础基础1.2 C-V1.2 C-V特性特性1.3MOS1.3MOS管原理管原理姿姿痘痘内内哀哀璃璃抗抗蝉蝉励励亮亮娥娥压压储储鳃鳃谢谢芯芯舷舷阉阉芝芝赁赁暮暮鞋鞋曙曙太太彰彰吼吼攒攒匀匀舵舵井井嗽嗽湘湘涵涵场场效效应应器器件件物物理理12CV3MOS原原理理场场效效应应器器件件物物理理12CV3MOS原原理理12/17/20221.2 C-V特性特性 本节内容本节内容n理想理想MOS电容的电容的CV特性特性n氧化层电荷对氧化层电荷对CV特性影响特性影响n界面态概念及对界面态概念及对CV特性影响特性影响霍霍邻邻章章藐藐阳阳颁颁群群枷枷八八丙丙凯凯乔乔欢欢私私助助茅茅乙乙蓬蓬丝丝刘刘经经息息朗朗氮氮驯驯爬爬碳碳童童饥饥笺笺瞬瞬絮絮场场效效应应器器件件物物理理12CV3MOS原原理理场场效效应应器器件件物物理理12CV3MOS原原理理12/17/20221.2 C-V特性特性
