半导体激光器原理及应用姓名：徐钦锋 学号：20164208084半导体激光器工作原理 1半导体激光器的主要性能2密集波分复用半导体激光器3半导体激光器的应用4目录CONTENTS自发辐射与受激辐射（a）自发辐射：特点：独立、杂乱无章的非相干光、寿命取决于半导体禁带宽度及复合中心密度等，一般为10-910-3 量级（b）受激辐射：受激发射出的光子频率，相位和方向都与入射光子 相同。（c）受激吸收：原子接收辐射能 从基态能级E1越入受激能级E2。产生激光的必要条件：受激辐射占主导地位 自发辐射的特点这种过程与外界作用无关。各原子的辐射都是独立地进行。因而所发光子的频率、初相、偏振态、传播方向等都不同。不同光波列是不相干的。例如霓虹灯管内充有低压惰性气体，在管两端加上高电压来激发气体原子，当它们从激发态跃迁返回基态时，便放出五颜六色的光彩。受激辐射激发态的原子，受到某一外来光子的作用，而且外来光子的能量恰好满足hv=E2-E1，原子就有可能从激发态E2跃迁至低能态E1，同时放出一个与外来光子具有完全相同状态的光子。这一过程被称为受激辐射E1E2hvE1E2hvhv受激辐射示意图粒子数反转在热
