P1微电子制造工艺概论第9章 光刻工艺P29.1 概述9.2 基本光刻工艺流程9.3 光刻技术中的常见问题本章主要内容P3IC产品的品的发展展趋势：大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本；光刻技术在每一代集成电路中扮演技术先导的角色，光刻成本占据整个技术成本的35%；IC对光刻技光刻技术的要求的要求高分辨率：加工线条越精细，要求光刻图形分辨率越高；高灵敏度的光刻胶：曝光时间越短，需要灵敏度越高；低缺陷：光刻中引入缺陷，影响成品率；精密的套刻精度：套刻精度小于线宽的 10%；对大尺寸硅片的加工：大尺寸硅片同时制作很多芯片，满足前述要求难度很大；P49.1概述光刻光刻(photo lithography)就是将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程。光刻系统的主要指标包括：分辨率R（resolution）、焦深DOF（Depth of Focus）、对比度（CON）、特征线宽控制CD（Critical Dimension）、对准和套刻精度（Alignment and Overlay）、产率（Throughout）以及价格。P59
