集成电路集成电路工艺工艺原理原理12一一、衬底材料的类型衬底材料的类型1.元素半导体 Si、Ge.2.化合物半导体 GaAs、SiC、GaN二、对衬底材料的要求二、对衬底材料的要求 导电类型：N型与P型都易制备；电阻率：0.01-105cm，均匀性好（纵向、横向、微区）、可靠性高（稳定、真实）；寿命（少数载流子）：晶体管长寿命；开关器件短寿命；晶格完整性：低位错（1000个/cm2）；纯度高：电子级硅（EGS）-1/109杂质；晶向：Si:双极器件-；MOS-；直径、平整度、禁带宽度、迁移率等。3Si：含量丰富，占地壳重量25%；单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋（450mm）氧化特性好，Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料；易于实现平面工艺技术；4Ge：漏电流大，禁带宽度窄，仅0.66eV(Si:1.1eV)；工作温度低，75（Si:150）；GeO2易水解（SiO2稳定）；本征电阻率低：47 cm（Si:2.3x105 cm）；成本高。56Si 的基本特性:FCC 金刚石结构，晶格常数a=5.431 间接带隙半导体，禁带宽度 Eg=1
