第11讲 基本逻辑门的版图标准单元版图布局多个标准单元的排放方法版图1版图2标准单元库中的版图闩锁效应反相器结构的寄生元件闩锁现象产生的原因如果反相器跳变很快,会有正脉冲通过C2使Q2导通,产生流过RW1和RW2的电流.该电流导致Q1济济电位下降使,Q1导通.Q1导通后将有电流流过RS2,进一步使Q2导通,最终造成Q1,Q2完全导通,产生从电源到地的电流.防闩锁措施o减小RW1和RS2.方法:RW1是N阱到VDD之间的寄生电阻,使N阱就近与 VDD连接并多打接触孔可以减少该电阻.RS2是衬底到GND之间的寄生电阻,应使每个NMOS管的衬底与GND良好连接.o减小漏区面积,使C1和C2减小.o以上措施在标准单元版图中已经得到体现.o工艺方面的措施 适当增加衬底和阱的掺杂浓度,有利于减小寄生电阻.高压大电流反相器版图在P管和N管之间增加保护环.目的也减小寄生电阻.这种版图设计的代价是使面积增加,一般只用于IO-PAD附近有较大电流的大尺寸管子或高压管.金属导线宽度o电流运载极限 当金属导线上的电流过大时会引起电迁移现象,导致导线尺寸变化,某些地方阻值改变,最终导致失效.极限:1-2mA/u
