第3章载流子输运现象课件.ppt

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半导体器件物理半导体器件物理第第3章章 载流子输运现象载流子输运现象半导体器件物理半导体器件物理Semiconductor Physics and Devices半导体器件物理半导体器件物理第第3 3章章 载流子输运现象载流子输运现象1电电子子浓浓度度随随x方方向向变变化,如右图所示。化,如右图所示。由由于于半半导导体体处处于于特特定定的的温温度度,所所以以电电子子平平均均热热能能不不会会随随x而而变变,只只有有浓浓度度n(x)的的改改变变。扩扩散散电电流流:半半导导体体中中,载载流流子子的的浓浓度度有有一一个个空空间间上上的的变变化化,倾倾向于从高浓度的区域移往低浓度的区域,形成的电流。向于从高浓度的区域移往低浓度的区域,形成的电流。3.2 载流子扩散载流子扩散电流电流电子电子电子浓度电子浓度n(x)距离距离x-l 0 l3.2.1 扩散过程扩散过程半导体器件物理半导体器件物理第第3 3章章 载流子输运现象载流子输运现象2考考虑虑单单位位时时间间及及单单位位面面积积中中穿穿过过x=0平平面面的的电电子子数数目目。T0K,电电子子随随机机热热运运动动,平平均均热热运运动动速速度度vth

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