HEMT（HighElectronMobilityTransistor)高电子迁移率晶体管高电子迁移率晶体管 小小组组成成员员制作制作PPT收集资料收集资料1ppt课件HEMT简介简介HEMT的应用方向的应用方向HEMT的发明的发明两种类型的两种类型的HEMT 介绍内容介绍内容2ppt课件一一.HEMT简介简介 HEMT，高电子迁移率晶体管是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管(SDHT)等。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。3ppt课件一一.HEMT简介简介一般说来HEMT的发明是归功于日本人Takashi Mimura(三村 高志)(Fujitsu,Japan)。而在美国,Ray Dingle 和他的同事们在贝尔实验室（Bell Laboratories）首次在MBE（分子束外延）生长的调制掺杂GaAs/AlGaAs超晶格中观察到了相当高的电子迁移率，为HEMT的发明做出了巨大贡献。在欧洲，来自Thom
