第第4章章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷硅、锗晶体中的杂质和缺陷 半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、的影响。半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、的影响。半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、的影响。半导体硅、锗器件的制做不仅要求硅、锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。具有一定的电学参数和晶体的完整性。具有一定的电学参数和晶体的完整性。具有一定的电学参数和晶体的完整性。单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程中加入一定量的杂质，并控制它们单晶生长过程中加入一定量的杂质，并控制它们单晶生长过程中加入一定量的杂质，并控制它们单晶生长过程中加入一
