化学机械抛光制程简介化学机械抛光制程简介（Chemical Mechanical Polishing-CMP)目录CMP的发展史 CMP简介为什么要有CMP制程CMP的应用CMP的耗材CMP Mirra-Mesa 机台简况Introduction of CMPCMP 发展史1983:CMP制程由IBM发明。1986:氧化硅CMP（Oxide-CMP）开始试行。1988:金属钨CMP（W CMP）试行。1992:CMP 开始出现在 SIA Roadmap。1994:台湾的半导体生产厂第一次开始将化学机械研磨应用于生产中。1998:IBM 首次使用铜制程CMP。Introduction of CMPCMP制程的全貌简介制程的全貌简介Introduction of CMPCMP 机台的基本构造(I)压力pressure平台Platform研磨垫Pad芯片Wafer研磨液SlurryWafer carrier终点探测 EndpointDetection钻石整理器Diamond ConditionerIntroduction of CMPCMP 机台的基本构造(II)Introduction o
