第第3章章 场效应管及其基本放大电路场效应管及其基本放大电路3.1结形场效应管3.2砷化镓金属-半导体场效应管3.3金属-氧化物-半导体场效应管3.4场效应管放大电路3.5各种放大器件电路性能比较 3.1 场效应晶体管(FET）分类和结构：分类和结构：结型场效应晶体管结型场效应晶体管JFET绝缘栅型场效应晶体管绝缘栅型场效应晶体管IGFETNPPN结耗尽层PN沟道G门极门极D漏极S源极源极P衬底NN源极源极 门极门极 漏极S G D JFET结构结构IGFET结构结构N沟道3.1结型场效应晶体管JFET1)P 沟道和沟道和N沟道结构及电路符号沟道结构及电路符号N沟道G门极门极D漏极S源极源极gdsN沟道结构及电路符号沟道结构及电路符号P沟沟道道G门极门极D漏极S源极源极gdsP沟道结构及电路符号沟道结构及电路符号2)工作等效（以工作等效（以P沟道为例）沟道为例）UgsIsId1）PN结不加结不加反反向向电压（电压（Ugs)或或加的电压不足以加的电压不足以使使沟道闭合沟道闭合时。时。沟道导通，电阻沟道导通，电阻很小，并且很小，并且阻值阻值随沟道的随沟道的截面截面积积减少减少而而增大增大。
