第三章第三章 场效应管及其场效应管及其基本电路基本电路第二章第二章 基本放大电路基本放大电路3.1 结型场效应管结型场效应管3.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管3.3 场效应管的基本电路场效应管的基本电路N基底基底：N型半导体型半导体PP两边是两边是P区区G(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极3.1 结型场效应管结型场效应管导电沟道导电沟道3.1.1结型场效应管的结构和工作原理结型场效应管的结构和工作原理一、结构一、结构NPPG(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极N沟道结型场效应管沟道结型场效应管DGSDGSPNNG(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极P沟道结型场效应管沟道结型场效应管DGSDGS二、工作原理（以二、工作原理（以P沟道为例）沟道为例）UDS=0V时时PGSDUDSUGSNNNNIDPN结反偏，结反偏，UGS越大则耗尽区越越大则耗尽区越宽，导电沟道越宽，导电沟道越窄。窄。PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V时时NNUGS越大耗尽区越宽，越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。沟道越窄，电阻越大。但当但当UGS较小时，耗尽较小时，耗尽区宽度有限，存在导区宽度有限，存在导电沟道。电沟道
