IC工艺和版图设计之栓锁效应与布局规则课件.ppt

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IC工艺和版图设计第八章 latch-up和GuardRing设计 本章主要内容CH8CH8GuardRingLatch-up的防护的防护Latch-up原理分析原理分析latch-up原理分析 CMOS电路中在电源电路中在电源VDD和地线和地线GND之之间由于寄生的间由于寄生的PNP和和NPN相互影响可能会产生相互影响可能会产生的一低阻抗通路,使的一低阻抗通路,使VDD和和GND之间产生大之间产生大电流,这就称为电流,这就称为闩锁效应(闩锁效应(latch up)。随着随着IC制造工艺的发展,集成度越来越高,制造工艺的发展,集成度越来越高,产生产生latch up的可能性会越来越高。的可能性会越来越高。latch-up原理分析latch-up原理分析latch-up原理分析latch-up原理分析当无外界干扰未引起触发时,两个当无外界干扰未引起触发时,两个BJT处于截止状态,处于截止状态,集电极电流是集电极电流是C-B反向漏电流构成,反向漏电流构成,电流增益非常小,电流增益非常小,此时此时latch up不会产生。不会产生。latch-up原理分析当一个当一个BJT集电极电流受外部干

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