MOSFET参数理解及参数理解及测试项目方法测试项目方法 MOSFET产品部产品部 MOSFET简要介绍简要介绍MOSFET(Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)-金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOSFET根据导电沟道形成机理可分为:1、增强型2、耗尽型MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为:1、PMOS2、NMOSMOSFET简要介绍简要介绍 MOS管结构及符号图 (a)内部结构断面示意图 (b)N沟道符号,P沟道符号GG:栅极栅极栅极栅极 D D:漏极漏极漏极漏极 S S:源极源极源极源极MOSFET 参数理解及测试方法参数理解及测试方法 MOSFET参数很多,一般 Datasheet 包含以下参数:极限参数:极限参数:VDS:额定漏-源电压,此电压的大小由芯片设计决定。VGS:额定栅-源电压,此电压的大小由芯片设计决定。ID:额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最 大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。特定温度下,此电流的大小由RDS(ON)和封装形式决定,其计算公式如下:TJmax