MOSFET参数理解及参数理解及测试项目方法测试项目方法 MOSFET产品部产品部 MOSFET简要介绍简要介绍MOSFET（Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)-金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOSFET根据导电沟道形成机理可分为：1、增强型2、耗尽型MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为：1、PMOS2、NMOSMOSFET简要介绍简要介绍 MOS管结构及符号图 (a)内部结构断面示意图 (b)N沟道符号，P沟道符号GG：栅极栅极栅极栅极 D D：漏极漏极漏极漏极 S S：源极源极源极源极MOSFET 参数理解及测试方法参数理解及测试方法 MOSFET参数很多，一般 Datasheet 包含以下参数：极限参数：极限参数：VDS：额定漏-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。VGS：额定栅-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。ID：额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最 大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。特定温度下，此电流的大小由RDS（ON）和封装形式决定，其计算公式如下：TJmax
